德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备
该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。主要技术参数：PC控制软件RF发生器 0~3000W 脉冲模式腔体防腐处理，400*400*1500mm,240L腔体加热80℃带观察窗多路工艺气体通道，MFC控制 防腐处理HMDSO单体通道易燃易爆气体安全阀Gas Shower气浴电极设备外尺寸2000*600*1700mm进口真空泵组电压 3项400V
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