特点：
• 用于消除电子束曝光、SEM成像、FIB等工艺中的荷电效应
• 通过旋涂的方式涂胶，操作简单
• 涂胶厚度：40nm @ 4000rpm
• 电子束曝光后可溶于水，非常容易去除，且不损伤衬底材料
• 对紫外光、电子束不敏感，无需黄光室
5090.02，适于PMMA、CSAR 62、 HSQ等；
5091.02，适于酚醛树脂基电子束光刻胶，如AR-N 7520
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